9月17日，成都海威华芯科技有限公司（以下简称海威华芯）发布了《关于成都海威华芯科技有限公司开启跨越式发展计划投资遴选之公告》。公告信息显示，海威华芯决定启动跨越式发展新项目落地工作，整合符合国家及产业政策的区域的上下游产业链，包括但不限于：遴选与公司跨越式发展战略相匹配的区域区位、比选各地各区政府的土地、基建、设备、资金、补贴、信贷和人才等相关条件及配套政策；公司遴选增量投资项目落地的范围包括但不限于：川渝经济圈、环渤海区、大湾区、长三角等符合国家及产业政策的区域。


据了解，该项目拟投资不低于人民币100亿元。主要面向新能源汽车领域的车规碳化硅SIC SBD&MOSFET芯片、光电类VECSEL芯片、氮化镓 GaN 快充与氮化镓GaN节能芯片、氮化镓 GaN基站射频类芯片等现在和未来应用周期长、应用市场广泛的重要领域。


海威华芯成立于2010年，占地225亩，总投资已超过25亿，2021年融资后，公司为无实际控制人结构企业，是中国建成第一条6吋砷化镓、氮化镓化合物半导体生产线的国家高新技术企业、国家集成电路重大项目企业和国家集成电路生产企业。在GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓）、SiC（碳化硅）等四大化合物材料领域，海威华芯已形成自主可控、门类齐全、制程完备的第二、三代化合物半导体芯片研发、设计与制造技术。面向射频、功率、光电三大科技创新应用领域，各项产品性能参数达到国内领先、国际先进的水平，产品主要应用于国家重点项目、5G通信、雷达、基站、光通讯、卫星通信、物联网、新能源等领域。海威华芯每年承担多项重要科研项目和装备型号研制任务，是防务领域自主可控能力建设的重要组成部分，同时承担了太赫兹领域射频器件研发任务。在民用领域承担了国家和四川省5G 砷化镓、氮化镓射频芯片研制重大专项，掌握了5G宏基站射频功放芯片的制造技术，是5G射频芯片国产化替代的主要能力。同时，海威华芯研制的具有世界先进水平的激光芯片、高功率能源转换芯片、3D感知芯片，已经规模化生产。


海威华芯开启本次跨越式发展计划投资主要为充分把握好国家给予芯片产业的好政策和市场对化合物半导体芯片需求日益增长的两个时代机遇，早日完成国家期望的自主创新、自主可控的目标，也为实现公司更快做大做强，实现跨越式发展等目标。


公告信息还特别提醒，鉴于当前国内化合物半导体投资环境火热，信息鱼龙混杂，除海威华芯授权代表外，从未授权任何代表开展项目洽谈。海威华芯项目接洽的唯一授权代表为公司董事长、法定代表人魏彦廷先生。魏彦廷先生授权欧先生负责联络、沟通与对接